Serial EEPROM과 Flash Memory의 비교
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)과 Flash Memory는 모두 비휘발성 메모리(NVM, Non-Volatile Memory)로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 특성을 가지고 있지만, 그 구조와 작동 방식에서 차이가 있다.
항목 | EEPROM | Flash Memory |
저장 방식 | 바이트 단위로 데이터 저장/삭제 가능 | 블록 또는 페이지 단위로 데이터 저장/삭제 |
동작 원리 | 전기적으로 특정 바이트(또는 워드) 단위로 지우거나 수정 | 전기적으로 전체 블록을 한 번에 지운 후 다시 프로그래밍 |
읽기 속도 | 보통 | 빠름 |
쓰기 속도 | 느림 | 빠름 |
삭제 속도 / 삭제 방식 |
느림 (바이트 단위 삭제) | 빠름 (블록 단위 삭제) |
내구성 (Erase Cycle) |
1,000,000회 이상 | 10,000~100,000회 정도 |
활용도 | 제품의 초기값 등 설정 데이터 저장에 적합 | NOR Flash Memory의 경우 랜덤 액세스가 가능하여 펌웨어 저장에 적합, NAND Flash Memory의 경우 블록 단위 접근으로 대용량 데이터 저장에 적합 |
가격 | 비쌈 | 저렴 |
집적도 및 용량 | 낮음 (작은 용량에 적합) | 높음 (대용량 저장 가능) |
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