메모리 종류와 세부분류 ROM, RAM, FLASH

 

 

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메모리 종류

 

1. ROM (Read Only Memory)

• 비휘발성(Non-volatile) 반도체 저장장치

• 한번 기록된 정보를 읽은 수만 읽고 수정할 수는 없는 고정 기억장치

• 다시 쓰고 지울 수 있는 방식에 따라 아래와 같이 구분됨. MASK ROM 부터 점차 발전되 현재 ROM이라고 하면 대부분 EEPROM을 말함

 

종류		설명
MASK ROM		가장 기본적인 ROM으로 제조과정에서 기록한 내용을 사용자가 수정 불가
PROM (Programmable ROM)		하용자가 한번만 기록 가능
EPROM (Erasable PROM)	UV EPROM	강한 자외선으로 데이터 삭제 가능
	EEPROM	전기적 기능으로 데이터 삭제 가능

 

 

 

2. RAM (Random Access Memory)

• 전원이 끊어지면 기록된 데이터가 지워지는 휘발성(Volatile) 메모리

• 자유롭게 Read/Write 가능하며 어느위치에 저장된 데이터든지 접근하는데 걸리는 시간이 동일함

• 주로 컴퓨터의 주기억장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩, 데이터의 일시적 저장에 사용됨

 

 

 

2-1. SRAM (Static Random Access Memory)

• 래치(Latch)에 데이터를 저장

• 전원이 공급되는 동안 래치에 저장된 데이터가 계속 유지됨

• 속도가 빠르지만 소비전력이 높고 비교적 가격이 비쌈

• 주로 CPU의 캐시 메모리에 사용됨

• ASRAM (Asynchronous SRAM) : 출력이 클럭에 동기화되지않고 사용되며 386시절부터 쓰던 메모리로 지금은 L2 캐시메모리로 주로 이용된다.

• SSRAM (Synchronous SRAM) : 출력이 클럭에 동기되어 사용되고 Burst 동작을 한다.

 

 

 

2-2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)

• 커패시터(Capacitor)에 충전된 전하(Charge)를 이용하여 저장

• 시간이 지나면 전하가 방전되므로 데이터 유지를 위해 재충전(Refresh)가 필요함

• 저장 용량이 크며 상대적으로 저렴해, 주로 컴퓨터의 주기억장치에 사용된다.

• SDRAM (Synchronous DRAM) : 비동기식이던 기존 방식과 달리 제어 장치 입력을 클락 펄스(Clock Pulse)와 동시에 일어나도록해 성능이 향상된 DRAM이다. DDR SDRAM 의 보급으로 그냥 SDRAM 은 SDR SDRAM이라는 관례적 명칭이 붙여졌다. 한번 클럭 펄스에 데이터를 한번 전송한다는 뜻이다.

• DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) : 한번의 클럭 펄스의 데이터를 두번전송하는 SDRAM이다. 현재는 기술이 더 발전되어 최신세대는 DDR5 SDRAM 이다.

• LPDDR SDRAM (Low Power DDR SDRAM) : 모바일용 저전력 DDR SDRAM으로 최신 세대는 LPDDR4 SDRAM이다. 

 

 

 

 

3. Flash Memory

• 전원이 공급되지 않아도 기록된 데이터를 보존하는 비휘발성 메모리

• 전기적 방법으로 데이터를 자유롭게 Read/Write 할 수 있다.

• 전력 소모가 적고, 고속 프로그래밍이 가능하다.

• 비휘발성인 ROM의 장점과 정보 입출력이 자유로운 RAM의 장점을 모두 보유

 

 

 

 

3-1. NAND Flash Memory

• 메모리 셀이 직렬로 배열되어 있다. 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있기 때문에 대용량화가 가능하다.

• 순차적으로 읽기 때문에 비교적 읽기 속도가 느리다.

• 메모리 셀의 주소를 기억할 필요가 없어 비교적 쓰기 속도와 지우는 속도가 빠르다.

• 블락 단위로 메모리에 접근한다.

• 고집적이 가능해 소형이고 저장용량이 크기 때문에 USB, SD카드, 하드디스크 대용 SSD 등 일상생활에 많이 쓰인다.

 

 

 

 

 

 

3-2. NOR Flash Memory

• 메모리 셀이 병렬로 배열되어 있다. 집적도가 낮아 대용량화가 어렵다.

• 데이터를 빠르게 찾을 수 있어 비교적 읽기 속도가 빠르다.

• 메모리 셀의 주소를 찾아야 하기 때문에 비교적 쓰기 속도가 느리다.

• 바이트나 워드 단위로 읽기/쓰기가  가능하나 덮어쓰기와 지우기는 임의접근할 수 없다.

• 데이터 안전성이 우수하고, 데이터 비트의 오류발생 확률이 적다.

• 프로세서와 붙어 프로그램 코드 저장 용도로 쓰인다.

 

 

 

 

 

Reference : 

https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%AA%A8%EB%B0%94%EC%9D%BC_DDR

https://junboom.tistory.com/28

https://ko.wikipedia.org/wiki/SDRAM

https://codingcoding.tistory.com/42

https://m.blog.naver.com/techref/222248898022